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Transistor IGBT G60N100 1000V 60A
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Transistor IGBT G60N100 Original
Especificaciones:
- Disipacion total (Pc): 180
- Tension colector-emisor (Vce): 1000V
- Voltaje de saturacion colector-emisor (Vce sat): 2.9
- Tension emisor-compuerta (Veg): 25V
- Corriente del colector DC maxima (Ic): 60A
- Temperatura operativa maxima (Tj) °C: 150
- Capacitancia de salida (Cc), pF: 260
- Encapsulado: TO-264
Contenido del paquete:
- 1 Transistor IGBT G60N100 Original
** ATENCION: Se entrega marca ON o Fairchild. Dependiendo camada ** ** ATENCION: Si necesitas podes pedirnos la Hoja de Datos en PDF **
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