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Descripción

Transistor IGBT G60N100 Original

Especificaciones:

  • Disipacion total (Pc): 180
  • Tension colector-emisor (Vce): 1000V
  • Voltaje de saturacion colector-emisor (Vce sat): 2.9
  • Tension emisor-compuerta (Veg): 25V
  • Corriente del colector DC maxima (Ic): 60A
  • Temperatura operativa maxima (Tj) °C: 150
  • Capacitancia de salida (Cc), pF: 260
  • Encapsulado: TO-264

Contenido del paquete:

  • 1 Transistor IGBT G60N100 Original

** ATENCION: Se entrega marca ON o Fairchild. Dependiendo camada ** ** ATENCION: Si necesitas podes pedirnos la Hoja de Datos en PDF **